英特尔X3D技术将来：18A?

IT Home在4月30日报道说，英特尔的新首席执行官陈·陈·利乌（Chen Chen Liwu）在2025年在美国加利福尼亚州圣何塞（San Jose）举行，概述了该公司在Fab Foundry Project上的发展。 Chen Liwu宣布，该公司现在正在与即将到来的14A节点流程（1.4nm同等用途）的主要客户联系，这是随后一代的18A节点流程。英特尔已经有许多计划流式传输14A测试芯片的客户，这些芯片现在配备了改善的Back -Transmission技术公司PowerDirect。英特尔没有为14A提供明确的时间表。如果计划所有内容，那么14A将是行业中第一个采用高EUV光刻的节点。 TSMC的A14竞争对手节点预计将于2028年到达，但预计不会使用高劳动技术。 Said Chen Liwu还同意该公司的主要18A节点有冒险的风险，预计明年将开始大规模劳动。英特尔还宣布了新的18A-P（IT主页注：18A节点性能版本现在正在使用Fab上，并且早期的晶圆也被放置在劳动中。此外，英特尔已正式宣布，它形成了一个新版本的18A-PT，该版本支持Foveros Direct 3D，并使用混合键合互连来使Intel垂直堆叠Wafers在先进的主要节点中。 Foveros Direct 3D技术是一项重大开发，因为它提供了竞争对手TSMC已经使用的生产功能，主要是AMD的3D V-CACH产品。实际上，关键互连密度度量的实施对应于TSMC产品。就成熟的节点而言，Intelfabs现在拥有第一个16nm的质量工作，并且该公司现在在UMC工作以生产12nm的节点。在包装方面，Intel Fabs通过Foveros Direct（3D堆叠）和嵌入式多芯片互连桥（2.5D桥）连接了基于Intel 18A-PT的Intel 14A的系统级集成。新的高级包装技术产品包括UDE EMIB-T可以实现未来的高带宽内存要求，以及Foveros Architecture的两个新增加：Foveros-R和Foveros-B，为客户提供了额外的灵活性。在制造业方面，亚利桑那州的英特尔的Fab 52 Fab成功操作了“整个过程”，标志着第一个晶圆的处理方法是通过该设施进行的。英特尔18A的大量生产将从俄勒冈州的英特尔工厂开始，而亚利桑那州的Theawes将于明年扩大。